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Official data from INPI

APARELHO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR

ArquivadaInvention PatentPCT · JP2014064575

Application data

Number

112015030722

Type

Invention Patent

Filing

06/02/2014

Publication

07/25/2017

PCT

JP2014064575

Progress at the INPI

  1. Filing06/02/14
  2. Publication07/25/17
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: the INPI technical office action was not answered in time (art. 36 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 07/20/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

A. C. (pessoa física)

JP

Inventors

F. Y. (pessoa física)

JP

N. S. (pessoa física)

JP

Technical data

Priority claims

JP

2013-121580 · 06/10/2013

JP

2013-152682 · 07/23/2013

JP

2013-155598 · 07/26/2013

Abstract

APARELHO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR.A presente invenção refere-se a um aparelho emissor de luz semicondutor que compreende um dispositivo emissor de luz semicondutor (100) que tem uma camada semicondutora em camadas (110) configurada através da formação de camadas de pelo menos duas ou mais camadas semicondutoras (103), (105) e uma camada emissora de luz (104) para emitir primeira luz e um membro de conversão de comprimento de onda que cobre pelo menos uma parte do dispositivo emissor de luz semicondutor (100), absorve pelo menos uma parte da primeira luz e que emite uma segunda luz com um comprimento de onda diferente daquele da primeira luz, caracterizado pelo fato de que o dispositivo emissor de luz semicondutor (100) ser fornecido com uma camada de estrutura fina, como um componente, incluindo pontos compostos de uma pluralidade de porções convexas ou porções côncavas que se estendem na direção fora de plano em umas das superfícies principais que formam o dispositivo emissor de luz semicondutor (100), a camada de estrutura fina forma um cristal fotônico bidimensional (102) controlado por pelo menos um dentre um intervalo dentre os pontos, um diâmetro de ponto e uma altura de ponto e que o cristal fotônico bidimensional (102) tem pelo menos dois ou mais períodos, cada um, de 1 (Mi)m ou mais.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Adição na publicação

#15.35

07/20/2021

RPI 2637

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

09/15/2020

RPI 2593

Exigência preliminar

#6.21

03/31/2020

RPI 2569

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

11/06/2018

RPI 2496

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

07/25/2017

RPI 2429

Alteração de dados cadastrais

#1.1

12/22/2015

RPI 2346

Patent monitoring

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