10.1
Homologada a desistência do pedido solicitada através da petição N°870170010517 de 16/02/2017.
09/05/2017
RPI 2435
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Official data from INPI
SUBSTRATO ÓPTICO, DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO
Em AnáliseInvention PatentPCT · JP2013075943
Application data
Number
112015008057Type
Invention Patent
Filing
09/25/2013
Publication
07/04/2017
PCT
JP2013075943 Progress at the INPI
- Filing09/25/13
- Publication07/04/17
- Abandoned
- Allowance
- Grant
- In force
The applicant withdrew the application. The case ended without a patent.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/05/2017. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
A. C. (pessoa física)
JP
Inventors
I. N. (pessoa física)
JP
K. J. (pessoa física)
JP
M. H. (pessoa física)
JP
Y. F. (pessoa física)
JP
Technical data
IPC Classification
Priority claims
JP
2012-227299 · 10/12/2012
JP
2012-230000 · 10/17/2012
JP
2012-231861 · 10/19/2012
JP
2012-280240 · 12/21/2012
JP
2013-022576 · 02/07/2013
JP
2013-111091 · 05/27/2013
Abstract
SUBSTRATO ÃPTICO, DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR, E, MÃTODO DE FABRICAÃÃO DO MESMO. Um substrato óptico PP (10) é provido com um corpo de substrato, e uma estrutura côncava-convexa (20) composta de uma pluralidade de porções convexas (20a) providas sobre a superfÃcie principal do corpo do substrato, em que pelo menos um padrão (X) observável com um microscópio óptico é desenhado sobre a superfÃcie principal, um intervalo do padrão (X) é maior do que um passo da estrutura côncava-convexa (20), e em uma imagem de microscópio óptico do padrão (X), uma primeira região (Xa) é capaz de ser distinguida de uma segunda região (Xb) por uma diferença em claro e escuro, uma pluralidade de primeiras regiões (Xa) é disposta afastada uma da outra em intervalos, e a segunda região (Xb) conecta entre as primeiras regiões (Xa), de modo a realizar de modo concomitante aumentos na eficiência quântica interna IQE e aperfeiçoamentos em eficiência de extração de luz LEE de um dispositivo emissor de luz semicondutor que tenham sido compensados mutuamente.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
07/04/2017
RPI 2426
Alteração de dados cadastrais
#1.1
03/01/2017
RPI 2408
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