WAFER PADRÃO PARA LEDS, WAFER EPITAXIAL PARA LEDS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE WAFER EPITAXIAL PARA LEDS

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Abstract

WAFER PADRÃO PARA LEDS, WAFER EPITAXIAL PARA LEDS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE WAFER EPITAXIAL PARA LEDS.A presente invenção refere-se a um wafer padrão (10) para LEDs que é fornecido com uma estrutura desigual A (20) possuindo uma disposição com simetria de n fold substancialmente em pelo menos uma parte da superfície principal, onde em pelo menos uma parte da estrutura desigual A (20), um ângulo de mudança de rotação (teta) corresponde a 0°(menor que) (teta) (180/n)° onde (teta) é o ângulo de mudança de rotação de um eixo geométrico de disposição A da estrutura desigual A (20) com relação a uma direção de eixo geométrico de cristal na superfície principal, e um topo da parte convexa da estrutura desigual A (20) é uma parte de canto com um raio de curvatura que excede "0". Uma primeira camada semicondutora (30), uma camada semicondutora de emissão de luz (40) e uma segunda camada semicondutora (50) são colocadas em camadas na estrutura desigual A (20) para constituir um wafer epitaxial (100) para LEDs. É possível se fornecer o wafer padrão para LEDs e o wafer epitaxial para LEDs com rachaduras e eficiência de quantidade interna IQE aperfeiçoadas.