SUBSTRATO ÓPTICO, ELEMENTO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM ELEMENTO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR

IPC Classification

Priority claims

Abstract

SUBSTRATO ÃPTICO, ELEMENTO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR, E, MÃTODO DE FABRICAÃÃO DE UM ELEMENTO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOREm um substrato óptico (1), uma estrutura côncava-convexa (12), incluindo uma pluralidade de porções convexas independentes (131 a 134) e porções côncavas (14) providas entre as porções convexas (131 a 134), é provida sobre uma superfície. O intervalo médio Pave entre as porções convexas adjacentes (131 a 134) na estrutura côncava-convexa (12) atende a 50 nm Menor igual Pave Menor igual 1500 nm, e a porção convexa (133) tendo a altura hn de porção convexa atendendo a 0,6 h Maior igual hn Maior igual 0 h para a altura média Have de porção convexa está presente com uma probabilidade Z atendendo a 1/10000 Menor igual Z Menor igual 1/5. Quando o substrato óptico (1) é usado em um elemento emissor de luz semicondutor, deslocações em uma camada de semicondutor são dispersas para reduzir a densidade de deslocação e, assim, eficiência quântica interna IQE é melhorada, e um modo de guia de onda é removido por difusão de luz e, assim, a eficiência de extração de luz LEE é aumentada, com o resultado que a eficiência de emissão de luz do elemento emissor de luz semicondutor é aprimorada.