Modelo de Utilidade DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H01L 27/11578. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO. A presente invenção refere-se a um dispositivo de memória tridimensional e a seu método de fabricação, e a uma memória tridimensional. O dispositivo de memória tridimensional compreende uma primeira célula de memória e pelo menos uma segunda célula de memória sequencialmente empilhada na primeira célula de memória. Cada célula de memória compreende um primeiro conjunto de contatos, e um dispositivo de matriz de memória e um dispositivo CMOS que são empilhados e conectados eletricamente entre si, o primeiro conjunto de contatos sendo disposto em um lado do dispositivo de matriz de memória voltado para longe do CMOS dispositivo e eletricamente conectado com o dispositivo CMOS. A segunda célula de memória compreende ainda um segundo conjunto de contatos que é disposto em um lado do dispositivo CMOS voltado para longe do dispositivo de matriz de memória e eletricamente conectado com o dispositivo CMOS. O dispositivo de matriz de memória da primeira célula de memória é ligado com o dispositivo CMOS da segunda célula de memória adjacente, e o primeiro conjunto de contatos da primeira célula de memória é correspondentemente conectado eletricamente com o segundo conjunto de contatos da segunda célula de memória adjacente.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Publicação do pedido de patente
#3.1
03/03/2026
RPI 2878
Notificação de pedido dividido
#2.4
18/02/2026
RPI 2876
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870250112233' em 05/12/2025 18:54 (WB)
