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Dado oficial do INPI

GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · CN2023109046

Dados do pedido

Patente de Invenção GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 43/50
Patente de Invenção GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 43/50. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

112025015887

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

25/07/2023

Publicação

12/05/2026

PCT

CN2023109046

Andamento no INPI

  1. Depósito25/07/23
  2. Publicação
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 25/07/2023. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 12/05/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

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Inventores

L. X. (pessoa física)

CN

L. M. (pessoa física)

CN

S. W. (pessoa física)

CN

Y. Z. (pessoa física)

CN

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

MÉTODO, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E SISTEMA PARA GERENCIAMENTO DE CONEXÕES CONDUTORAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES. A presente invenção refere-se a sistemas, dispositivos e métodos para gerenciar conexões condutoras para dispositivos semicondutores. Em um aspecto, um método inclui: a provisão de uma estrutura integrada que inclui uma estrutura de arranjo (130) em uma primeira região (101) e uma estrutura de conexão condutora (150) em uma segunda região (103) adjacente à primeira região, pelo menos uma porção de pelo menos uma camada de polisilício que fica em cima da estrutura de conexão condutora; a causticação de pelo menos uma porção de pelo menos uma camada de polisilício para expor uma ou mais conexões condutoras (152a, 152b) na estrutura de conexão condutora; a deposição de um material isolante (170) sobre a estrutura de arranjo e a estrutura de conexão condutora; e formação de acesso de interconexão verticais condutoras (VIAs, 154a, 154b, 154c) através do material isolante para ficar em contato com uma ou mais conexões condutoras e uma camada condutora na estrutura de arranjo.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/05/2026

RPI 2888

Alteração de dados cadastrais

#1.1

12/08/2025

RPI 2849

Monitoramento de patentes

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