Patente de Invenção DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA E MÉTODOS PARA FORMAÇÃO DOS MESMOS de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC G11C 11/22. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA E MÉTODOS PARA FORMAÇÃO DOS MESMOS. A presente invenção refere-se a um dispositivo de memória que inclui uma estrutura de matriz de memória e uma estrutura periférica. A estrutura de matriz de memória inclui pelo menos um banco de memória, e cada banco de memória inclui uma pluralidade de blocos de memória. A estrutura periférica inclui um circuito condutor de linha de palavras e um circuito amplificador de detecção. Uma primeira área incluindo o circuito condutor de linha de palavras e o circuito amplificador de detecção se sobrepõe pelo menos parcialmente a uma segunda área incluindo um bloco de memória em uma vista plana do dispositivo de memória.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
16/09/2025
RPI 2854
Exigências diversas
#1.5
Apresentar novas folhas referentes ao relatório descritivo traduzido e ao resumo do pedido, adaptadas aos Arts. 26 e 40 da Portaria INPI nº14/2024, uma vez que o conteúdo encaminhado encontra-se fora da norma (uso de expressão adicional antes do título). A exigência deve ser respondida em até 60 (sessenta) dias de sua publicação por meio de petição código de serviço 207.
