Patente de Invenção MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 51/50. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E APARELHO ELETRÔNICO. A presente invenção refere-se a uma memória tridimensional (3D). A memória 3D pode incluir uma estrutura de pilha que inclui camadas de porta lógica e camadas dielétricas posicionadas alternadamente. A estrutura de pilha pode incluir uma estrutura de ressaltos que inclui uma pluralidade de estruturas de ressaltos localizadas em uma primeira direção e tendo alturas diferentes em uma segunda direção. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de primeiros batentes posicionados na primeira direção e localizados na pluralidade de ressaltos de pelo menos uma das estruturas de ressaltos, com cada um dentre a pluralidade de primeiros batentes localizados no ressalto correspondente da pluralidade de ressaltos. A memória 3D pode incluir uma camada de proteção que cobre a estrutura de ressaltos e os primeiros batentes. A memória 3D pode incluir uma pluralidade de pinos de contato, cada um se estendendo através da camada de proteção e do primeiro batente e estando conectado com a camada de porta lógica no ressalto que corresponde ao primeiro batente.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
