Patente de Invenção MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E DISPOSITIVO ELETRÔNICO de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H10B 41/35. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DA MESMA, SISTEMA DE MEMÓRIA E DISPOSITIVO ELETRÔNICO. De acordo com um aspecto da presente invenção, é fornecida uma memória tridimensional. A memória tridimensional pode incluir uma estrutura de pilhas que compreende uma camada de porta e uma camada dielétrica posicionadas alternadamente e que compreende uma pluralidade de ressaltos. A memória tridimensional pode incluir uma camada de bloqueio de decapagem localizada na pluralidade de ressaltos. A memória tridimensional pode incluir uma camada protetora que cobre a estrutura de pilhas e a camada de bloqueio de decapagem. A memória tridimensional pode incluir uma pluralidade de pilares de conexão. Cada um dos pilares de conexão penetra através da camada protetora e da camada de bloqueio de decapagem em um ressalto correspondente e é conectado com a camada de porta do ressalto correspondente.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
