Patente de Invenção DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAIS de YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. — IPC H01L 21/762. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAIS. A presente invenção refere-se às modalidades de dispositivos de memória 3D e métodos para formar o dispositivo de memória 3D. Em um exemplo, um dispositivo de memória 3D inclui uma matriz de memória e um circuito periférico ligado à matriz de memória. A matriz de memória inclui uma primeira estrutura empilhada multicamadas, primeiras estruturas de capacitor penetrando na primeira estrutura empilhada multicamadas e uma estrutura de bloqueio penetrando a primeira estrutura empilhada multicamadas. A primeira estrutura empilhada multicamadas inclui camadas dielétricas e camadas condutoras empilhadas alternadamente. Cada uma das primeiras estruturas de capacitor inclui uma camada dielétrica e uma camada de eletrodo, onde a camada dielétrica de uma primeira estrutura de capacitor está disposta entre a camada de eletrodo da primeira estrutura de capacitor e as camadas dielétricas ou as camadas condutoras da primeira estrutura empilhada multicamadas. A estrutura de bloqueio separa um subconjunto das primeiras estruturas de capacitor de outro subconjunto das primeiras estruturas de capacitor, e a estrutura de bloqueio inclui uma camada dielétrica e uma camada condutora.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
