Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 30/06/2021, observadas as condições legais
02/06/2026
RPI 2891
Dados do pedido
Número
112023012725Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2021103677 Patente concedida em 02/06/2026 e em vigor até 30/06/2041. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:30/06/2041
Última movimentação publicada pelo INPI: 02/06/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventores
C. S. (pessoa física)
CN
L. X. (pessoa física)
CN
L. C. (pessoa física)
CN
N. J. (pessoa física)
CN
W. L. (pessoa física)
CN
W. X. (pessoa física)
CN
W. T. (pessoa física)
CN
Classificação IPC
Prioridades unionistas
CN
PCT/CN2021/093323 · 12/05/2021
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL, SISTEMA E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL. A presente invenção refere-se a dispositivos de memória tridimensionais (3D) que inclui uma primeira estrutura semicondutora que inclui uma matriz de células de memória, uma segunda estrutura semicondutora que inclui um circuito de periférico, e uma interface de ligação entre a primeira estrutura semicondutora e a segunda estrutura semicondutora. O circuito de periférico inclui um transistor 3D. A matriz de células de memória é acoplada ao circuito de periférico através da interface de ligação.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 30/06/2021, observadas as condições legais
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