(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · CN2019102332

Dados do pedido

Número

112021022417

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

23/08/2019

Publicação

08/03/2022

PCT

CN2019102332

Andamento no INPI

  1. Depósito23/08/19
  2. Publicação08/03/22
  3. Exame
  4. Deferimento10/12/24
  5. Concessão25/02/25
  6. Em vigor23/08/39

Patente concedida em 25/02/2025 e em vigor até 23/08/2039. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:23/08/2039

Deixe seu contato e avisamos você

Acompanhamos as publicações do INPI e avisamos assim que houver movimentação neste processo.

Usamos seus dados apenas para este aviso.

Última movimentação publicada pelo INPI: 25/02/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

W. Z. (pessoa física)

CN

Z. X. (pessoa física)

CN

Z. Z. (pessoa física)

CN

Dados técnicos

Resumo técnico

DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA VERTICAIS.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor. O dispositivo semicondutor inclui camadas de porta e camadas de isolamento que são empilhadas de maneira alternada ao longo de uma direção perpendicular a um substrato do dispositivo semicondutor e formam uma pilha sobre o substrato. O dispositivo semicondutor inclui um arranjo de estruturas de canal que são formadas em uma região de arranjo da pilha. Além disso, o dispositivo semicondutor inclui uma primeira escadaria formada por uma primeira seção da pilha em uma região de conexão sobre o substrato, e uma segunda escadaria formada por uma segunda seção da pilha na região de conexão sobre o substrato. Em adição, o dispositivo semicondutor inclui uma escadaria fictícia formada pela primeira seção da pilha e disposta entre a primeira escadaria e a segunda escadaria na região de conexão.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais

25/02/2025

RPI 2825

Deferimento

#9.1

10/12/2024

RPI 2814

Parecer de pré-exame

#6.23

21/05/2024

RPI 2785

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

08/03/2022

RPI 2670

Alteração de dados cadastrais

#1.1

23/11/2021

RPI 2655

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.