Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais
25/02/2025
RPI 2825
Dados do pedido
Número
112021022417Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2019102332 Patente concedida em 25/02/2025 e em vigor até 23/08/2039. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:23/08/2039
Última movimentação publicada pelo INPI: 25/02/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventores
W. Z. (pessoa física)
CN
Z. X. (pessoa física)
CN
Z. Z. (pessoa física)
CN
Classificação IPC
Resumo técnico
DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA VERTICAIS.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor. O dispositivo semicondutor inclui camadas de porta e camadas de isolamento que são empilhadas de maneira alternada ao longo de uma direção perpendicular a um substrato do dispositivo semicondutor e formam uma pilha sobre o substrato. O dispositivo semicondutor inclui um arranjo de estruturas de canal que são formadas em uma região de arranjo da pilha. Além disso, o dispositivo semicondutor inclui uma primeira escadaria formada por uma primeira seção da pilha em uma região de conexão sobre o substrato, e uma segunda escadaria formada por uma segunda seção da pilha na região de conexão sobre o substrato. Em adição, o dispositivo semicondutor inclui uma escadaria fictícia formada pela primeira seção da pilha e disposta entre a primeira escadaria e a segunda escadaria na região de conexão.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/08/2019, observadas as condições legais
25/02/2025
RPI 2825
#9.1
10/12/2024
RPI 2814
#6.23
21/05/2024
RPI 2785
#1.3
08/03/2022
RPI 2670
#1.1
23/11/2021
RPI 2655
Do mesmo titular
Da mesma categoria
Monitoramento de patentes
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.