Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 28/06/2019, observadas as condições legais
04/02/2025
RPI 2822
Dados do pedido
Número
112021021424Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2019093603 Patente concedida em 04/02/2025 e em vigor até 28/06/2039. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:28/06/2039
Última movimentação publicada pelo INPI: 04/02/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventores
G. W. (pessoa física)
CN
Q. W. (pessoa física)
CN
Classificação IPC
Resumo técnico
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor (100) e a um método para fabricar o dispositivo semicondutor (100). O dispositivo semicondutor (100) inclui uma cadeia de transistores (102) empilhada em uma direção vertical (103) sobre um substrato (101) do dispositivo semicondutor (100) tendo uma estrutura de canal (165) que se estende na direção vertical (103). A cadeia de transistores (102) inclui primeira, segunda, e terceira subcadeias (102(1), 102(2), 102(3)) de transistores que são dispostas ao longo de primeira, segunda, e terceira porções (165(1), 165(2), 165(3)) da estrutura de canal (165), respectivamente. Estruturas de porta (153b-153q) de transistores nas primeira, segunda, e terceira subcadeias (102(1), 102(2), 102(3)) são separadas por respectivas primeira, segunda, e terceiras camadas isolantes (124, 224, 324) e as segundas camadas isolantes (224) têm uma taxa de corrosão mais elevada do que aquela das terceiras camadas isolantes (324).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 28/06/2019, observadas as condições legais
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