Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 07/12/2018, observadas as condições legais
30/01/2024
RPI 2769
Dados do pedido
Número
112021007364Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2018119908 Patente concedida em 30/01/2024 e em vigor até 07/12/2038. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:07/12/2038
Última movimentação publicada pelo INPI: 30/01/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventores
L. X. (pessoa física)
CN
M. W. (pessoa física)
CN
Y. S. (pessoa física)
CN
Classificação IPC
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA 3D-NAND E MÉTODO PARA FORMAR O MESMO. A presente invenção refere-se a um dispositivo de memória 3D-NAND. O dispositivo de memória inclui um substrato, uma porta de seleção inferior (BSG) disposta sobre o substrato, uma pluralidade de linhas de palavras posicionada sobre a BSG com uma configuração de escadaria e a pluralidade de camadas isolantes disposta entre o substrato, a BSG, e a pluralidade de linhas de palavras. No dispositivo de memória descrito, uma ou mais primeiras fendas dielétricas estão formadas na BSG e estendem em uma direção de comprimento do substrato para separar a BSG em uma pluralidade de sub-BSGs. Além disso, uma ou mais regiões de fonte comuns estão formadas sobre o substrato e estendem na direção de comprimento do substrato. As uma ou mais regiões de fonte comuns ainda estendem através da BSG, da pluralidade de linhas de palavras e da pluralidade de camadas isolantes.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 07/12/2018, observadas as condições legais
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