Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/09/2018, observadas as condições legais
07/05/2024
RPI 2783
Dados do pedido
Número
112020025889Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2018107790 Patente concedida em 07/05/2024 e em vigor até 27/09/2038. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:27/09/2038
Última movimentação publicada pelo INPI: 07/05/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventores
E. W. (pessoa física)
CN
F. Z. (pessoa física)
CN
H. Y. (pessoa física)
CN
Q. X. (pessoa física)
CN
R. Z. (pessoa física)
CN
Y. Z. (pessoa física)
CN
Classificação IPC
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL.As concretizações de dispositivos de memória 3D com um plugue semicondutor protegido por uma camada dielétrica e métodos para formar a mesma são descritos. Em um exemplo, um dispositivo de memória 3D inclui um substrato, uma pilha de memória incluindo uma pluralidade de camadas condutoras intercaladas e camadas dielétricas no substrato e uma cadeia de memória se estendendo verticalmente através da pilha de memória. A cadeia de memória inclui um plugue semicondutor em uma porção inferior da cadeia de memória, uma camada dielétrica protetora no plugue semicondutor e um filme de memória acima da camada dielétrica protetora e ao longo de uma parede lateral da cadeia de memória.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/09/2018, observadas as condições legais
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