(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · CN2018107790

Dados do pedido

Número

112020025889

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

27/09/2018

Publicação

06/04/2021

PCT

CN2018107790

Andamento no INPI

  1. Depósito27/09/18
  2. Publicação06/04/21
  3. Exame
  4. Deferimento06/02/24
  5. Concessão07/05/24
  6. Em vigor27/09/38

Patente concedida em 07/05/2024 e em vigor até 27/09/2038. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:27/09/2038

Deixe seu contato e avisamos você

Acompanhamos as publicações do INPI e avisamos assim que houver movimentação neste processo.

Usamos seus dados apenas para este aviso.

Última movimentação publicada pelo INPI: 07/05/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.

CN

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

E. W. (pessoa física)

CN

F. Z. (pessoa física)

CN

H. Y. (pessoa física)

CN

Q. X. (pessoa física)

CN

R. Z. (pessoa física)

CN

Y. Z. (pessoa física)

CN

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA TRIDIMENSIONAL.As concretizações de dispositivos de memória 3D com um plugue semicondutor protegido por uma camada dielétrica e métodos para formar a mesma são descritos. Em um exemplo, um dispositivo de memória 3D inclui um substrato, uma pilha de memória incluindo uma pluralidade de camadas condutoras intercaladas e camadas dielétricas no substrato e uma cadeia de memória se estendendo verticalmente através da pilha de memória. A cadeia de memória inclui um plugue semicondutor em uma porção inferior da cadeia de memória, uma camada dielétrica protetora no plugue semicondutor e um filme de memória acima da camada dielétrica protetora e ao longo de uma parede lateral da cadeia de memória.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/09/2018, observadas as condições legais

07/05/2024

RPI 2783

Deferimento

#9.1

06/02/2024

RPI 2770

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

09/01/2024

RPI 2766

Parecer de pré-exame

#6.23

29/08/2023

RPI 2747

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

06/04/2021

RPI 2622

Alteração de dados cadastrais

#1.1

29/12/2020

RPI 2608

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.