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Dado oficial do INPI

APARELHO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · JP2014064575

Dados do pedido

Número

112015030722

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

02/06/2014

Publicação

25/07/2017

PCT

JP2014064575

Andamento no INPI

  1. Depósito02/06/14
  2. Publicação25/07/17
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 20/07/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

A. C. (pessoa física)

JP

Inventores

F. Y. (pessoa física)

JP

N. S. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Prioridades unionistas

JP

2013-121580 · 10/06/2013

JP

2013-152682 · 23/07/2013

JP

2013-155598 · 26/07/2013

Resumo técnico

APARELHO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR.A presente invenção refere-se a um aparelho emissor de luz semicondutor que compreende um dispositivo emissor de luz semicondutor (100) que tem uma camada semicondutora em camadas (110) configurada através da formação de camadas de pelo menos duas ou mais camadas semicondutoras (103), (105) e uma camada emissora de luz (104) para emitir primeira luz e um membro de conversão de comprimento de onda que cobre pelo menos uma parte do dispositivo emissor de luz semicondutor (100), absorve pelo menos uma parte da primeira luz e que emite uma segunda luz com um comprimento de onda diferente daquele da primeira luz, caracterizado pelo fato de que o dispositivo emissor de luz semicondutor (100) ser fornecido com uma camada de estrutura fina, como um componente, incluindo pontos compostos de uma pluralidade de porções convexas ou porções côncavas que se estendem na direção fora de plano em umas das superfícies principais que formam o dispositivo emissor de luz semicondutor (100), a camada de estrutura fina forma um cristal fotônico bidimensional (102) controlado por pelo menos um dentre um intervalo dentre os pontos, um diâmetro de ponto e uma altura de ponto e que o cristal fotônico bidimensional (102) tem pelo menos dois ou mais períodos, cada um, de 1 (Mi)m ou mais.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Adição na publicação

#15.35

20/07/2021

RPI 2637

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

15/09/2020

RPI 2593

Exigência preliminar

#6.21

31/03/2020

RPI 2569

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

06/11/2018

RPI 2496

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

25/07/2017

RPI 2429

Alteração de dados cadastrais

#1.1

22/12/2015

RPI 2346

Monitoramento de patentes

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