Adição na publicação
#15.35
20/07/2021
RPI 2637
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Dado oficial do INPI
WAFER PADRÃO PARA LEDS, WAFER EPITAXIAL PARA LEDS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE WAFER EPITAXIAL PARA LEDS
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · JP2014064153
Dados do pedido
Número
112015029641Tipo
Patente de Invenção
Depósito
28/05/2014
Publicação
25/07/2017
PCT
JP2014064153 Andamento no INPI
- Depósito28/05/14
- Publicação25/07/17
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 20/07/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
A. C. (pessoa física)
JP
Inventores
J. K. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2013-116024 · 31/05/2013
JP
2013-116025 · 31/05/2013
Resumo técnico
WAFER PADRÃO PARA LEDS, WAFER EPITAXIAL PARA LEDS E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE WAFER EPITAXIAL PARA LEDS.A presente invenção refere-se a um wafer padrão (10) para LEDs que é fornecido com uma estrutura desigual A (20) possuindo uma disposição com simetria de n fold substancialmente em pelo menos uma parte da superfície principal, onde em pelo menos uma parte da estrutura desigual A (20), um ângulo de mudança de rotação (teta) corresponde a 0°(menor que) (teta) (180/n)° onde (teta) é o ângulo de mudança de rotação de um eixo geométrico de disposição A da estrutura desigual A (20) com relação a uma direção de eixo geométrico de cristal na superfície principal, e um topo da parte convexa da estrutura desigual A (20) é uma parte de canto com um raio de curvatura que excede "0". Uma primeira camada semicondutora (30), uma camada semicondutora de emissão de luz (40) e uma segunda camada semicondutora (50) são colocadas em camadas na estrutura desigual A (20) para constituir um wafer epitaxial (100) para LEDs. É possível se fornecer o wafer padrão para LEDs e o wafer epitaxial para LEDs com rachaduras e eficiência de quantidade interna IQE aperfeiçoadas.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
Exigência preliminar
#6.21
31/03/2020
RPI 2569
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
06/11/2018
RPI 2496
15.40
02/10/2018
RPI 2491
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
25/07/2017
RPI 2429
Alteração de dados cadastrais
#1.1
15/12/2015
RPI 2345
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