DIODO DE SCHOTTKY E MÉTODO DE PRODUÇÃO PARA O MESMO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

DIODO DE SCHOTTKY E MÉTODO DE PRODUÇÃO PARA O MESMO. A presente invenção refere-se a um diodo de schottky e um método de produção para o mesmo, compreendendo as etapas essenciais seguintes: Fornecer um corpo de base semicondutor, de preferência na forma de uma bolacha, tendo uma alta concentração de dopante e tendo uma primeira superfície principal, que forma a primeira superfície de contato elétrico; depositar de modo epitaxial uma camada de semicondutor tendo a mesma condutividade e uma menor concentração de dopoante sobre essa superfície do corpo de base semicondutor que fica oposta à primeira superfície principal; dispor uma primeira camada de metal sobre a camada de semicondutor com a formação de um contato de Schottky entre a primeira camada de metal e a camada de semicondutor; conectar um corpo de contato planar na primeira camada de metal por meio de um recurso de conexão; formar pelo menos um diodo de Schottky individual; dispor uma camada de passivação na região de borda do pelo menos um diodo de Schottky.