COMPONENTE SEMICONDUTOR DE POTÊNCIA COM PERFIL DE DOPAGEM DE DOIS NÍVEIS

IPC Classification

Priority claims

Abstract

COMPONENTE SEMICONDUTOR DE POTÊNCIA COM PERFIL DE DOPAGEM DE DOIS NÍVEIS. O presente pedido refere-se a um componente semicondutor de potência tendo uma junção pn, tendo um corpo básico com uma primeira condutividade básica, uma região do tipo poço com uma segunda condutividade que é disposta horizontalmente no centro do corpo básico, tem um primeiro perfil de dopagem de dois níveis e tem uma primeira profundidade de penetração a partir da primeira superfície principal para o corpo básico. Além disso, este componente semicondutor de potência tem uma estrutura de borda que é disposta entre a região do tipo poço e a borda do componente semicondutor de potência e que compreende uma pluralidade de anéis de campo com um perfil de dopagem de nível único, uma segunda condutividade e uma segunda profundidade de penetração, sendo que a primeira profundidade de penetração não é mais do que 50 de 100 da segunda profundidade de penetração