Concessão da patente
#16.1
14/02/2018
RPI 2458
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Dado oficial do INPI
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR DE ENERGIA E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO
ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível
Dados do pedido
Número
PI1005613Tipo
Patente de Invenção
Depósito
14/10/2010
Publicação
13/02/2013
Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito14/10/10
- Publicação13/02/13
- Exame
- Deferimento29/08/17
- Concessão14/02/18
- Em vigor14/10/30
Patente concedida em 14/02/2018 e em vigor até 14/10/2030. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:14/10/2030
Última movimentação publicada pelo INPI: 14/02/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
JP
Inventores
H. N. (pessoa física)
JP
K. Y. (pessoa física)
JP
M. U. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2009-238518 · 15/10/2009
Resumo técnico
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR DE ENERGIA E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO. A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor de ariergia que inclui um substrato, um, padrão de circuito de elemento formado sobre o substrato e fabricado de Cu coberto com uma camada de revesti- nento de Ni-P sem eletricidade, e um elemento semicondutor de energia igado ao padrão de circuito de elemento por uma solda, onde a solda é uma liga de Sn, Sb e Cu, e a porcentagem em peso de Cu está na faixa de 0,5 a 1%, inclusive.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
29/08/2017
RPI 2434
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
30/05/2017
RPI 2421
Publicação do pedido de patente
#3.1
13/02/2013
RPI 2197
Pedido de patente depositado
#2.1
25/10/2011
RPI 2129
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