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SISTEMA E MÉTODO PARA DEPOSITAR UMA PELÍCULA FINA EM UM SUBSTRATO FLEXÍVEL

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2007064961

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Dados do pedido

Número

PI0709199

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

26/03/2007

Publicação

28/06/2011

PCT

US2007064961

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Andamento no INPI

Depósito26/03/07
Publicação28/06/11
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 25/09/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Lotus Applied Technology, LLC

Inventores

E. D. (pessoa física)

W. B. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

C23C 14/54 H05B 33/10

Prioridades unionistas

60/743,786 · 26/03/2006

Resumo técnico

SISTEMA E MÉTODO PARA DEPOSITAR UMA PELÍCULA FINA EM UM SUBSTRATO FLEXÍVEL . A presente invenção descreve sistemas e métodos para deposíção de camada atômica (ALD) em um substrato flexível implicando em guiar o substrato (12, 112, 316) para frente e para trás entre a primeira e segunda zonas espaçadas separadamente das primeira e segunda zonas de precursor (14, 16, 114, 116, 314, 316), de modo que o substrato transite através de cada uma das zonas de precursor múltiplo vezes. Os sistemas podem incluir uma série de guias de viragem (64, 66, 164, 166, 364, 366), como os cilindros, espaçados à parte ao longo das zonas de precursor para suportar o substrato ao longo de um trajeto de transporte ondulado. Enquanto o substrato passa transversalmente para frente e para trás entre zonas de precursor, este passa através de uma série de passagens de restrição de fluxo (54, 56, 154, 156, 354, 356) de uma zona de isolamento (20, 120, 320) em que um gás inerte é injetado para inibir a migração de gases de precursor para fora das zonas de precursor. Igualmente são descritos sistemas e métodos para utilizar mais de dois produtos químicos de precursor e para reciclar gases de precursor expelidos das zonas de precursor.