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Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA FORMAR CAMADAS DE ÓXIDO DE ESPESSURA MÚLTIPLA DE ALTA QUALIDADE ATRAVÉS DA REDUÇÃO DOS DEFEITOS INDUZIDOS POR ESCORIAÇÃO

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2001008861

Dados do pedido

Número

PI0109485

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/03/2001

Publicação

10/06/2003

PCT

US2001008861

Andamento no INPI

  1. Depósito20/03/01
  2. Publicação10/06/03
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 20/03/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 18/04/2006. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Advanced Micro Devices, INC.

US

Fujitsu Limited

JP

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Inventores

A. H. (pessoa física)

US

J. O. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

09/535.256 · 23/03/2000

Resumo técnico

"MÉTODO PARA FORMAR CAMADAS DE ÓXIDO DE ESPESSURA MÚLTIPLA DE ALTA QUALIDADE ATRAVÉS DA REDUÇÃO DOS DEFEITOS INDUZIDOS POR ESCORIAÇÃO". Divulga-se um método para formar camadas de óxido de alta qualidade possuindo diferentes espessuras através da eliminação dos defeitos induzidos por escoriações. Um substrato semicondutor é sujeitado à gravação iônica reativa. O substrato semicondutor inclui uma pastilha 4, uma camada de óxido 2 sobre a pastilha, e uma máscara fotoresistente desenvolvida 8 sobre a camada de óxido. A camada de óxido 2 é então gravada, e a máscara fotoresistente remanescente 8 é decapada antes que uma outra camada de óxido 14 seja desenvolvida sobre o substrato.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

18/04/2006

RPI 1841

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

27/09/2005

RPI 1812

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

10/06/2003

RPI 1692

Monitoramento de patentes

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