Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
18/04/2006
RPI 1841
Dados do pedido
Número
PI0109485Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2001008861 Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 20/03/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 18/04/2006. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Advanced Micro Devices, INC.
US
Fujitsu Limited
JP
Inventores
A. H. (pessoa física)
US
J. O. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/535.256 · 23/03/2000
Resumo técnico
"MÉTODO PARA FORMAR CAMADAS DE ÓXIDO DE ESPESSURA MÚLTIPLA DE ALTA QUALIDADE ATRAVÉS DA REDUÇÃO DOS DEFEITOS INDUZIDOS POR ESCORIAÇÃO". Divulga-se um método para formar camadas de óxido de alta qualidade possuindo diferentes espessuras através da eliminação dos defeitos induzidos por escoriações. Um substrato semicondutor é sujeitado à gravação iônica reativa. O substrato semicondutor inclui uma pastilha 4, uma camada de óxido 2 sobre a pastilha, e uma máscara fotoresistente desenvolvida 8 sobre a camada de óxido. A camada de óxido 2 é então gravada, e a máscara fotoresistente remanescente 8 é decapada antes que uma outra camada de óxido 14 seja desenvolvida sobre o substrato.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
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