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Dado oficial do INPI

CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · US2022076215

Dados do pedido

Patente de Invenção CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO de ADVANCED MICRO DEVICES, INC. — IPC H01L 21/822
Patente de Invenção CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO de ADVANCED MICRO DEVICES, INC. — IPC H01L 21/822. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

112024006251

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

09/09/2022

Publicação

09/07/2024

PCT

US2022076215

Andamento no INPI

  1. Depósito09/09/22
  2. Publicação
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 09/09/2022. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 09/07/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

US

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Inventores

R. S. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

17/489,316 · 29/09/2021

Resumo técnico

CIRCUITO INTEGRADO, MÉTODO PARA FORMAR UM CIRCUITO INTEGRADO E SISTEMA DE COMPUTAÇÃO.A presente invenção refere-se a um circuito integrado com uma primeira célula compreendendo:um primeiro par de transístores com canais (104, 108) de diferentes polaridades de dopagem configuradas para receber um primeiro sinal de entrada por cada transístor do primeiro par de transístores; eum segundo par de transístores com canais (104, 108) de diferentes polaridades de dopagem configuradas para receber dois sinais de entrada diferentes, sendo que um transístor de uma primeira polaridade de dopagem do segundo par de transístores tem um comprimento maior de uma região de porta do que um transístor da segunda polaridade de dopagem do primeiro par de transístores.sendo que em resposta a um potencial que é aplicado a um nó de entrada do circuito integrado, uma corrente é transportada do nó de entrada para um nó de saída do circuito integrado através da primeira célula.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

09/07/2024

RPI 2792

Alteração de dados cadastrais

#1.1

09/04/2024

RPI 2779

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