Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
18/04/2006
RPI 1841
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Dado oficial do INPI
PROCESSO PARA A FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA SOBRE UM SUBSTRATO
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2001008824
Dados do pedido
Número
PI0109351Tipo
Patente de Invenção
Depósito
20/03/2001
Publicação
03/12/2002
PCT
US2001008824 Andamento no INPI
- Depósito20/03/01
- Publicação03/12/02
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 20/03/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 18/04/2006. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Advanced Micro Devices, INC.
US
Fujitsu Limited
JP
Inventores
A. H. (pessoa física)
US
J. O. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/532.347 · 21/03/2000
Resumo técnico
"PROCESSO PARA A FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA SOBRE UM SUBSTRATO". Um processo para a formação de óxido de alto grau de qualidade com múltiplas camadas de espessura que têm diferentes espessuras, por eliminação de defeitos induzidos por remoção de escória. O processo inclui a formação de uma camada de óxido (2), o mascaramento da camada de óxido com uma camada de fotorresistor (8) e a revelação da camada de fotorresistor para expor pelo menos uma região (10) da camada de óxido. O substrato é então aquecido e tem a escória removida para remover qualquer resíduo que resulta da revelação do fotorresistor. Alternativamente, a camada de fotorresistor (8) pode ser submetida a cura antes do aquecimento e da remoção de escória do substrato. A camada de óxido (2) é então quimicamente atacada; e o fotorresistor (8) resistente é retirado antes de outra camada de óxido (14) ser aplicada sobre o substrato.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
27/09/2005
RPI 1812
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
03/12/2002
RPI 1665
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