DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS
Patente de Invenção DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS de RF360 SINGAPORE PTE. LTD. — IPC H03H 3/02. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS. Um dispositivo de onda acústica volumétrica, BAW, compreende uma pilha de camadas (102) incluindo o primeiro eletrodo (104A) e um segundo eletrodo (104B), uma primeira camada piezoelétrica (106A) entre os eletrodos e uma segunda camada piezoelétrica (106B) entre a primeira camada piezoelétrica e o segundo eletrodo. Uma polarização (P2) de uma estrutura cristalina da segunda camada piezoelétrica é oposta a uma polarização (P1) de uma estrutura cristalina da primeira camada piezoelétrica para alcançar frequências ressonantes de ordem superior no dispositivo BAW por outros meios que não apenas adelgaçamento das camadas na pilha de camadas. Em alguns exemplos, o dispositivo BAW é um dispositivo de dois terminais e não inclui uma camada de metal configurada para ser um terceiro eletrodo. Em alguns exemplos, o dispositivo BAW inclui pelo menos uma camada intermediária (120, 122, 124) entre a primeira e a segunda camadas piezoelétricas e uma espessura total combinada da pelo menos uma camada intermediária é menor que 4 % de uma espessura total da pilha de camadas. Adicionalmente, são revelados: dispositivo de ondas acústicas volumétricas (BAW) de dois terminais, dispositivo BAW de dois terminais, e, método de fabricação de um dispositivo BAW de dois terminais relacionados.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
