Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS DE CARBETO DE SILÍCIO DE ALTA QUALIDADE

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · EP2022054151

Falar com especialista

Dados do pedido

Número

112023017954

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

18/02/2022

Publicação

14/11/2023

PCT

EP2022054151

Ver no INPI

Andamento no INPI

Depósito18/02/22
Publicação
Exame
Deferimento
Concessão
Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 18/02/2022. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

Última movimentação publicada pelo INPI: 14/11/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

KISELKARBID I STOCKHOLM AB

Inventores

J. E. (pessoa física)

K. A. (pessoa física)

L. D. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

C30B 23/00 C30B 23/02 C30B 29/36

Prioridades unionistas

21162115.6 · 11/03/2021

Resumo técnico

MÉTODO PARA CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS DE CARBETO DE SILÍCIO DE ALTA QUALIDADE. A presente invenção refere-se a um método para crescimento de uma camada epitaxial em um substrato (20) de carbeto de silício monocristalino, SiC. O método compreende fornecer (S100) uma matéria-prima (10) de SiC policristalino monolítico com uma estrutura colunar de microgrãos e o substrato (20) de SiC monocristalino, em uma câmara (5) de um cadinho com uma distância entre eles; dispor (S102) um captador de carbono (1) na dita câmara (5) do cadinho próximo à matéria-prima (10) e ao substrato (20), o dito captador de carbono (1) tendo um ponto de fusão superior a 2200° C e uma capacidade de formar uma camada de carbeto com espécies de carbono evaporadas a partir do SiC; reduzir (S106) a pressão na câmara (5); inserir (S108) um gás inerte na câmara (5); elevar (S110) a temperatura na câmara (5) para uma temperatura de crescimento, de modo que seja alcançada uma taxa de crescimento entre 1 µm/h e 1 mm/h; e manter (S112) a temperatura de crescimento até que um crescimento de pelo menos 5 µm tenha sido alcançado no substrato (20).