Dado oficial do INPI

CRESCIMENTO SIMULTÂNEO DE DUAS CAMADAS DE CARBONETO DE SILÍCIO

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · SE2022050180

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Dados do pedido

Número

112023017914

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

18/02/2022

Publicação

12/12/2023

PCT

SE2022050180

Ver no INPI

Andamento no INPI

Depósito18/02/22
Publicação
Exame
Deferimento
Concessão
Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 18/02/2022. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

Última movimentação publicada pelo INPI: 12/12/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

KISELKARBID I STOCKHOLM AB

Inventores

J. E. (pessoa física)

K. A. (pessoa física)

L. D. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

C30B 23/02 C30B 29/36

Prioridades unionistas

2150279-4 · 11/03/2021

Resumo técnico

CRESCIMENTO SIMULTÂNEO DE DUAS CAMADAS DE CARBONETO DE SILÍCIO. É fornecido um sistema (100) para produzir simultaneamente uma primeira e uma segunda camadas monocristalinas epitaxiais em um primeiro e segundo substratos respectivos, compreendendo um primeiro recipiente interno (3) definindo uma primeira cavidade para acomodar um primeiro material de origem e o primeiro substrato, um segundo recipiente interno (4) definindo uma segunda cavidade para acomodar um segundo material de origem e o segundo substrato, um recipiente de isolamento (6) disposto para acomodar o primeiro e o segundo recipientes internos (3, 4) no mesmo, um recipiente externo (7) disposto para acomodar o recipiente de isolamento (6) e o primeiro e o segundo recipientes internos (3, 4) no mesmo e meios de aquecimento (8) dispostos fora do recipiente externo (7) e configurados para aquecer a primeira e a segunda cavidades simultaneamente.