Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
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Dado oficial do INPI
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO E MÉTODO PARA PRODUZIR TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · JP2014070289
Dados do pedido
Número
112016002017Tipo
Patente de Invenção
Depósito
25/07/2014
Publicação
01/08/2017
PCT
JP2014070289 Andamento no INPI
- Depósito25/07/14
- Publicação01/08/17
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 15/09/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
RICOH COMPANY, LTD.
JP
Inventores
M. T. (pessoa física)
JP
N. U. (pessoa física)
JP
R. S. (pessoa física)
JP
S. A. (pessoa física)
JP
S. M. (pessoa física)
JP
Y. S. (pessoa física)
JP
Y. A. (pessoa física)
JP
Y. N. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2013-159290 · 31/07/2013
JP
2014-035430 · 26/02/2014
Resumo técnico
Resumo da Patente de Invenção para: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO E MÉTODO PARA PRODUZIR TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPOFornecer um transistor de efeito de campo, contando: um eletrodo de porta configurado para aplicar voltagem de porta; um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno, os quais são ambos configurados para retirar corrente elétrica; uma camada ativa formada de um semicondutor de óxido do tipo n, fornecido em contato com o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno; e uma camada isolante de porta fornecida entre o eletrodo de porta e a camada ativa, em que função de trabalho do eletrodo de fonte e eletrodo de dreno é 4.90 eV ou maior, e em que uma densidade de portadora de elétrons do semicondutor de óxido do tipo n é 4.0 x 1017 cm-3 ou maior.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Exigência preliminar
#6.21
14/04/2020
RPI 2571
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
06/11/2018
RPI 2496
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
01/08/2017
RPI 2430
Alteração de dados cadastrais
#1.1
10/02/2016
RPI 2353
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