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Dado oficial do INPI

ELEMENTO EMISSOR DE LUZ COM UMA FORMA PLANA HEXAGONAL E DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ

ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível

Dados do pedido

Patente de Invenção ELEMENTO EMISSOR DE LUZ COM UMA FORMA PLANA HEXAGONAL E DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ — IPC H01L 33/00
Patente de Invenção ELEMENTO EMISSOR DE LUZ COM UMA FORMA PLANA HEXAGONAL E DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ — IPC H01L 33/00. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

102016015672

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

05/07/2016

Publicação

31/01/2017

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

Acessar documento

Andamento no INPI

  1. Depósito05/07/16
  2. Publicação31/01/17
  3. Exame
  4. Deferimento13/10/21
  5. Concessão30/11/21
  6. Em vigor05/07/36

Patente concedida em 30/11/2021 e em vigor até 05/07/2036. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:05/07/2036

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Depositantes e inventores

Depositantes

N. C. (pessoa física)

JP

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Inventores

K. E. (pessoa física)

JP

K. T. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

JP

2015-150828 · 30/07/2015

JP

2016-100165 · 19/05/2016

Resumo técnico

A presente invenção refere-se a um elemento emissor de luz (10, 20, 30, 40, 50, 70) com uma forma plana hexagonal, que tem: uma camada semicondutora no lado n (2n); uma camada semicondutora no lado p (3p) proporcionada na camada semicondutora no lado n (2n); uma pluralidade de orifícios (6), que é proporcionada em uma área, excluindo três cantos (R1, R2, R3, R4, R5, R6) em posições mutuamente diagonais da camada semicondutora no lado p (3p) em uma vista plana, e expõem a camada semicondutora no lado n (2n); um primeiro eletrodo do tipo p (4p) proporcionado em contato com a camada semicondutora no lado p (3p); segundos eletrodos do tipo p (5p, 25p, 45p) proporcionados em três cantos (R1, R2, R3, R4, R5, R6) no primeiro eletrodo do tipo p (4p); e um eletrodo do tipo n (7n), que é proporcionado no primeiro eletrodo do tipo p (4p) e é conectado eletricamente à camada semicondutora no lado n (2n) pela pluralidade de orifícios (6).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 05/07/2016, observadas as condições legais

30/11/2021

RPI 2656

Deferimento

#9.1

13/10/2021

RPI 2649

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

12/01/2021

RPI 2610

Exigência preliminar

#6.21

12/05/2020

RPI 2575

Publicação do pedido de patente

#3.1

31/01/2017

RPI 2404

Pedido de patente depositado

#2.1

16/08/2016

RPI 2380

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 870160033774 em 05/07/2016 10:35(WB).

19/07/2016

RPI 2376

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