Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 14/01/2020, observadas as condições legais
14/10/2025
RPI 2858
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Dado oficial do INPI
ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR, E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UM ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR
ConcedidaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
102020000810Tipo
Patente de Invenção
Depósito
14/01/2020
Publicação
04/08/2020
Andamento no INPI
- Depósito14/01/20
- Publicação04/08/20
- Exame
- Deferimento19/08/25
- Concessão14/10/25
- Em vigor14/01/40
Patente concedida em 14/10/2025 e em vigor até 14/01/2040. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:14/01/2040
Última movimentação publicada pelo INPI: 14/10/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
Y. N. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2019-005760 · 17/01/2019
JP
2019-141147 · 31/07/2019
Resumo técnico
Um elemento de laser semicondutor inclui uma camada semicondutora de lado n, uma camada ativa e uma camada semicondutora de lado p. Pelo menos uma porção da camada semicondutora de lado p forma uma crista projetada para cima. A camada semicondutora de lado p inclui uma primeira parte não dopada, uma camada de barreira de elétron contendo uma impureza tipo p e tendo uma energia de banda proibida maior do que a primeira parte, e uma segunda parte tendo pelo menos uma camada semicondutora tipo p. A extremidade inferior da crista é posicionada na primeira parte.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
19/08/2025
RPI 2850
Parecer de pré-exame
#6.23
04/02/2025
RPI 2822
Publicação do pedido de patente
#3.1
04/08/2020
RPI 2587
Pedido de patente depositado
#2.1
09/06/2020
RPI 2579
Requerimento de pedido de patente
#2.10
N?mero de Protocolo '870200006394' em 14/01/2020 14:12 (WB)
21/01/2020
RPI 2559
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