Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/02/2010, observadas as condições legais
10/29/2019
RPI 2547
Application data
Number
PI1008737Type
Filing
Publication
PCT
JP2010051557 Patent grant document available
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Access the documentThe patent was granted on 10/29/2019 and is in force until 02/04/2030. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:02/04/2030
Latest action published by the INPI: 10/29/2019. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
N. C. (pessoa física)
JP
Inventors
H. T. (pessoa física)
JP
IPC Classification
Priority claims
JP
2009-041966 · 02/25/2009
Abstract
MÃTODO PARA FABRICAR ELEMENTO SEMICONDUTOR.A presente invenção refere-se a um método para fabricar um elemento semicondutor da presente invenção que tem: uma etapa de irradiação de laser de focalizar um feixe de laser pulsado dentro de um substrato constituindo uma pastilha, formando assim uma pluralidade de partes processadas isoladas ao longo de uma linha divisória pretendida dentro do substrato, e criando uma fissura que se desenvolve a partir das partes processadas adjacentes; e uma etapa de divisão de pastilha de dividir a pastilha ao longo da linha divisória pretendida.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/02/2010, observadas as condições legais
10/29/2019
RPI 2547
#9.1
08/20/2019
RPI 2537
05/28/2019
RPI 2525
#6.6.1
01/15/2019
RPI 2506
#1.3
03/08/2016
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#1.1
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