Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 14/01/2020, observadas as condições legais
10/14/2025
RPI 2858
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Official data from INPI
ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR, E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UM ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR
ConcedidaInvention Patent
Application data
Number
102020000810Type
Invention Patent
Filing
01/14/2020
Publication
08/04/2020
Progress at the INPI
- Filing01/14/20
- Publication08/04/20
- Examination
- Allowance08/19/25
- Grant10/14/25
- In force01/14/40
The patent was granted on 10/14/2025 and is in force until 01/14/2040. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:01/14/2040
Latest action published by the INPI: 10/14/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
N. C. (pessoa física)
JP
Inventors
Y. N. (pessoa física)
JP
Technical data
IPC Classification
Priority claims
JP
2019-005760 · 01/17/2019
JP
2019-141147 · 07/31/2019
Abstract
Um elemento de laser semicondutor inclui uma camada semicondutora de lado n, uma camada ativa e uma camada semicondutora de lado p. Pelo menos uma porção da camada semicondutora de lado p forma uma crista projetada para cima. A camada semicondutora de lado p inclui uma primeira parte não dopada, uma camada de barreira de elétron contendo uma impureza tipo p e tendo uma energia de banda proibida maior do que a primeira parte, e uma segunda parte tendo pelo menos uma camada semicondutora tipo p. A extremidade inferior da crista é posicionada na primeira parte.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Deferimento
#9.1
08/19/2025
RPI 2850
Parecer de pré-exame
#6.23
02/04/2025
RPI 2822
Publicação do pedido de patente
#3.1
08/04/2020
RPI 2587
Pedido de patente depositado
#2.1
06/09/2020
RPI 2579
Requerimento de pedido de patente
#2.10
N?mero de Protocolo '870200006394' em 14/01/2020 14:12 (WB)
01/21/2020
RPI 2559
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