Utility Model ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR, E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UM ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR — IPC B82Y 20/00. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.
The application was published in the RPI gazette on 01/06/2026 and is now open to any interested party. It moves on to technical examination at the INPI.
Latest action published by the INPI: 01/06/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR, E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UM ELEMENTO DE LASER SEMICONDUTOR. Um elemento de laser semicondutor inclui uma camada semicondutora de lado n, uma camada ativa e uma camada semicondutora de lado p. Pelo menos uma porção da camada semicondutora de lado p forma uma crista projetada para cima. A camada semicondutora de lado p inclui uma primeira parte não dopada, uma camada de barreira de elétron contendo uma impureza tipo p e tendo uma energia de banda proibida maior do que a primeira parte, e uma segunda parte tendo pelo menos uma camada semicondutora tipo p. A extremidade inferior da crista é posicionada na primeira parte.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Publicação do pedido de patente
#3.1
01/06/2026
RPI 2870
Notificação de pedido dividido
#2.4
12/30/2025
RPI 2869
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870250032715' em 24/04/2025 16:02 (WB)
