APARELHO DE DEPOSIÇÃO DE PLASMA PARA FABRICAR SILÍCIO POLICRISTALINO, E, MÉTODO PARA FORMAR UMA CAMADA DE SILÍCIO POLICRISTALINO SOBRE UM SUBSTRATO ALVO EM UMA CÂMARA DE DEPOSIÇÃO.

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Abstract

APARELHO DE DEPOSIÇÃO DE PLASMA PARA FABRICAR SILÍCIO POLICRISTALINO, E, MÉTODO PARA FORMAR UMA CAMADA DE SILÍCIO POLICRISTALINO SOBRE UM SUBSTRATO ALVO EM UMA CÂMARA DE DEPOSIÇÃO. Um aparelho de deposição de plasma para fabricar silício policristalino incluindo uma câmara ára depositar referido silício policristalino, a câmara tendo um sistema de exaustão para recuperar gases não depositados; um suporte localizado dentro da câmara de deposição para manter um substrato alvo tendo uma superfície de deposição, a superfície de deposição definindo uma zona de deposição; pelo menos um maçarico de plasma acoplado por indução localizado dentro da câmara de deposição e espaçado distanciado do suporte, o pelo menos um maçarico de plasma acoplado por indução produzindo uma chama de plasma que é substancialmente perpendicular à superfície de deposição, a chama de plasma definindo uma zona de reação para reagir pelo menos uma fonte de gás precursor para produzir o silício policristalino para deposição de uma camada de silício policristalino na superfície de deposição.