Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
22/12/1987
RPI 896
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Dado oficial do INPI
ESTRUTURA SEMICONDUTORA APERFEIÇOADA, DISPOSITIVO FOTTOSSENSÍVEL APERFEIÇOADO, PROCESSO DE DEPOSITAR UM SEMICONDUTOR APERFEIÇOADO SOBRE UM SUBSTRATO E APARELHO PARA DEPOSIÇÃO DE UM SEMICONDUTOR APERFEIÇOADO.
ArquivadaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
PI8406123Tipo
Patente de Invenção
Depósito
30/11/1984
Publicação
24/09/1985
Andamento no INPI
- Depósito30/11/84
- Publicação24/09/85
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 30/11/1984, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 22/12/1987. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Energy Conversion Devices, Inc.
US
Inventores
D. A. (pessoa física)
US
H. F. (pessoa física)
S. O. (pessoa física)
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
558.959 · 07/12/1983
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Publicação do pedido de patente
#3.1
24/09/1985
RPI 779
Pedido de patente depositado
#2.1
26/02/1985
RPI 749
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