Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1929 de 26/12/2007.
13/12/2011
RPI 2136
Dados do pedido
Número
PI0017133Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2000004402 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 13/12/2011. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Energy Conversion Devices, INC.
US
Inventores
J. D. (pessoa física)
US
M. I. (pessoa física)
US
S. J. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Resumo técnico
"APARELHO DE MODIFICAÇÃO SUPERFICIAL OU DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA FINA POR JATO DE PLASMA, E, MÉTODO DE ATAQUE QUÍMICO OU DEPOSIÇÃO DE PELÍCULA FINA POR JATO DE PLASMA". Um novo método de modificação superficial ou deposição de película fina de CVD intensificado por plasma, de alta velocidade e plasma de alta qualidade, e aparelho. A invenção emprega energia tanto de microondas (5) quanto de feixes eletrônicos (6) para a criação de um plasma de espécies excitadas que modificam a superfície de substratos (2) ou são depositadas sobre os substratos para formar a película fina desejada. A invenção também emprega um sistema de jato de gás (3) para introduzir as espécies de reação no plasma. Este sistema de jato de gás (3) leva em conta a velocidade de deposição mais elevada do que os processos de PECVD convencionais, enquanto mantém a alta qualidade desejada dos materiais depositados.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1929 de 26/12/2007.
13/12/2011
RPI 2136
#8.6
Referente a 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidades.
26/12/2007
RPI 1929
#1.3
05/11/2002
RPI 1661
Do mesmo titular
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