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Dado oficial do INPI

PROCESSO CRIPTOGRÁFICO DE ARMAZENAR E RECUPERAR INFORMAÇÃO EM UM ELEMENTO DE MEMÓRIA DE MUDANÇA DE FASE, PROCESSO DE CONTROLAR UM ELEMENTO DE INTERCONEXÃO PARA MUDAR CONECTIVIDADE EM UMA REDE NEURAL, E APARELHO DE CONTROLE PARA CONTROLAR O NÍVEL DE CONECTIVIDADE ENTRE NÓS EM UMA REDE NODAL DE UM SISTEMA DE REDE NEURAL.

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · US2000009731

Dados do pedido

Número

PI0006031

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

12/04/2000

Publicação

13/03/2001

PCT

US2000009731

Andamento no INPI

  1. Depósito12/04/00
  2. Publicação13/03/01
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 20/07/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Energy Conversion Devices, Inc.

US

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

B. P. (pessoa física)

US

S. O. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

09/289713 · 12/04/1999

Resumo técnico

"PROCESSO CRIPTOGRÁFICO DE ARMAZENAR E RECUPERAR INFORMAÇÃO EM UM ELEMENTO DE MEMÓRIA DE MUDANÇA DE FASE, PROCESSO DE CONTROLAR UM ELEMENTO DE ITERCONEXÃO PARA MUDAR CONECTIVIDADE EM UMA REDE NEURAL, E APARELHO DE CONTROLE PARA CONTROLAR O NÍVEL DE CONECTIVIDADE ENTRE NÓS EM UMA REDE NODAL DE UM SISTEMA DE REDE NEURAL" Elemento de memória universal (302) possuindo estados de multinível, não detectáveis, e processo e aparelho para programar o mesmo, e processos e aplicações concretizando o mesmo em sistemas de redes neurais (320), de inteligência artificial e de armazenamento de dados. O elemento de memória universal é programado pela aplicação de um ou mais pulsos de subintervalo insuficientes para comutar o elemento de memória do mencionado estado de alta resistência para o mencionado estado de baixa resistência, mas suficiente para modificar o material de memória, de modo que o acúmulo de pulsos de energia adicionais fazem com que o elemento de memória comute do mencionado estado de alta resistência para o mencionado estado de baixa resistência.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 na RPI2003 de 26/05/2009.

20/07/2010

RPI 2063

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 9ª anuidade.

26/05/2009

RPI 2003

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

13/03/2001

RPI 1575

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