Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/02/2010, observadas as condições legais
29/10/2019
RPI 2547
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Dado oficial do INPI
MÉTODO PARA FABRICAR ELEMENTO SEMICONDUTOR
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · JP2010051557 Documento oficial disponível
Dados do pedido
Número
PI1008737Tipo
Patente de Invenção
Depósito
04/02/2010
Publicação
08/03/2016
PCT
JP2010051557 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito04/02/10
- Publicação08/03/16
- Exame
- Deferimento20/08/19
- Concessão29/10/19
- Em vigor04/02/30
Patente concedida em 29/10/2019 e em vigor até 04/02/2030. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:04/02/2030
Última movimentação publicada pelo INPI: 29/10/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
H. T. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2009-041966 · 25/02/2009
Resumo técnico
MÃTODO PARA FABRICAR ELEMENTO SEMICONDUTOR.A presente invenção refere-se a um método para fabricar um elemento semicondutor da presente invenção que tem: uma etapa de irradiação de laser de focalizar um feixe de laser pulsado dentro de um substrato constituindo uma pastilha, formando assim uma pluralidade de partes processadas isoladas ao longo de uma linha divisória pretendida dentro do substrato, e criando uma fissura que se desenvolve a partir das partes processadas adjacentes; e uma etapa de divisão de pastilha de dividir a pastilha ao longo da linha divisória pretendida.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
20/08/2019
RPI 2537
6.20
28/05/2019
RPI 2525
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
15/01/2019
RPI 2506
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
08/03/2016
RPI 2357
Alteração de dados cadastrais
#1.1
27/11/2012
RPI 2186
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