PROCESSO DE FABRICO DE DISPOSITIVO ELETRÔNICO OU OPTOELETRÔNICO ATIVO SEMICONDUTOR DE EFEITO DE CAMPO COM MEMÓRIA NÃO VOLÁTIL E REFERIDO DISPOSITIVO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

PROCESSO DE UTILIZAÃÃO E CRIAÃÃO DE PAPEL à BASE DE FIBRAS CELULÃSICAS NATURAIS, FIBRAS SINTÃTICAS OU MISTAS COMO SUPORTE FÃSICO E MEIO ARMAZENADOR DE CARGAS ELÃTRICAS EM TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO COM MEMÃRIA AUTOSSUSTENTÃVEIS USANDO ÃXIDOS SEMICONDUTORES ATIVOS.A presente invenção consiste na utilização e criação de material à base de fibras celulósicas naturais, fibras sintéticas, ou mistas como suporte físico e meio armazenador ou indutor de armazenamento de cargas elétricas e iônicas em transistores de efeito de campo singulares ou complementares como memória não volátil autossustentáveis usando semicondutores ativos orgânicos ou inorgânicos para o fabrico das regiões de canal que se depositam sobre as fibras do material bem como de metais ou semicondutores passivos para o fabrico do dreno e fonte, que permitem a interligação das fibras, para além do contacto porta existente na outra face do papel, respectivamente tipo p ou n, nas formas monolíticas ou híbridas.