PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE UM DIELÉTRICO PARA UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ELETRÔNICO, DIELÉTRICO PARA UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ELETRÔNICO, TRANSISTOR, ECRÃ E DISPOSITIVO ELETRÔNICO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

PROCESSO DE FABRICAÃÃO DE UM DIELÃTRICO PARA UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ELETRÃNICO, DIELÃTRICO PARA UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ELETRÃNICO, TRANSISTOR, ECRà E DISPOSITIVO ELETRÃNICO.Esta invenção refere-se à transistores de filme fino de elevado desempenho, totalmente processados a temperaturas que não excedem os utilizando dielétricos multicomponentes amorfos baseados na mistura de materiais com banda de energia proibida elevada e de constante dielétrica (K) elevada. A invenção refere-se igualmente à utilização de materiais dielétricos misturados por impressão a jacto de tinta ou submetidos à pulverização catódica, tais como Ta2O5 com SiO2 ou Al203 ou HfO2 com SiO2 ou AL2O3. este Estes dielétricos multicomponentes permitem a produção de dielétricos amorfos para serem introduzidos em dispositivos eletrônicos de elevada estabilidade com baixas correntes de fuga, preservando ao mesmo tempo uma constante dielétrica elevada. Isto resulta na produção de transistores de filme fino baseados nestes dielétricos, como por exemplo o dielétrico resultante da mistura Ta2 O5 : SiO2 , com propriedades eléctricas excepcionais, tais como os produzidos com base no óxido de Ga-In-Zn como camada de canais e em que o dielétrico é a combinação da mistura de Ta 2 0 5 :Si0 2 , apresentando uma mobilidade de efeito de campo superior a 35 cm 2 v- 1 s - , uma tensão de limiar perto de 0 V, uma relação on/off superior a 10 (6) e uma inclinação de sublinar inferior a 0,24 V dec -1.