Concessão da patente
#16.1
10 (dez) anos contados a partir de 17/03/2020, observadas as condições legais
17/03/2020
RPI 2567
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Dado oficial do INPI
CONECTOR ISOLADO SEPARÁVEL DE INTERFACE DUPLA COM GAIOLA DE FARADAY SOBREMOLDADA
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · US2009034204 Documento oficial disponível
Dados do pedido
Número
PI0908858Tipo
Patente de Invenção
Depósito
16/02/2009
Publicação
06/03/2019
PCT
US2009034204 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito16/02/09
- Publicação06/03/19
- Exame
- Deferimento27/02/20
- Concessão17/03/20
- Em vigor16/02/29
Patente concedida em 17/03/2020 e em vigor até 16/02/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:16/02/2029
Última movimentação publicada pelo INPI: 17/03/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
COOPER TECHNOLOGIES COMPANY
US
Inventores
D. H. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
M. S. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
12/072,164 · 25/02/2008
Resumo técnico
CONECTOR ISOLADO SEPARÁVEL DE INTERFACE DUPLA COM GAIOLA DE FARADAY SOBREMOLDADA Trata-se de um conector isolado separável de interface dupla que compreende uma gaiola de Faraday moldada sobre uma barra de distribuição para o uso em um sistema de energia elétrica e um método de fabricação do mesmo. A gaiola de Faraday pode ser disposta dentro de um invólucro semicondutor. A configuração do conector isolado separável pode fornecer a ligação mais fácil entre a gaiola de Faraday e o material isolante. Adicionalmente, a configuração pode eliminar ou reduzir a necessidade de revestir a barra de distribuição com um agente adesivo e alisar a barra de distribuição de metal para remover rebarbas, outras irregularidades e arestas vivas da barra. A fabricação do conector isolado separável de interface dupla pode incluir a moldagem de uma gaiola de Faraday de borracha semicondutora sobre uma barra de distribuição condutora, a inserção da gaiola de Faraday em um invólucro 20 e a injeção do material isolante entre a gaiola de Faraday e o invólucro.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
27/02/2020
RPI 2564
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
04/06/2019
RPI 2526
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
19/03/2019
RPI 2515
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
06/03/2019
RPI 2513
Alteração de dados cadastrais
#1.1
30/08/2011
RPI 2121
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