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Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · JP2006304187

Dados do pedido

Número

PI0608898

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

28/02/2006

Publicação

09/02/2010

PCT

JP2006304187

Andamento no INPI

  1. Depósito28/02/06
  2. Publicação09/02/10
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 11/02/2014. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD.

JP

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Inventores

N. I. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

JP

2005-062559 · 07/03/2005

JP

2006-034360 · 10/02/2006

Resumo técnico

MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA. A presente invenção refere-se a um método para a produção de uma grande quantidade de silício de alta pureza econômico útil para uma bateria solar. É descrito um método para a produção de silício de alta pureza migrando impurezas no silício para a escória incluindo executar uma primeira purificação da escória de um primeiro silício, separar a escória do primeiro silício depois de terminar a primeira purificação da escória e alimentar a escória separada para um segundo silício fundido em uma segunda purificação do segundo silício, em que a pureza do dito segundo silício antes da purificação é menor do que a pureza do primeiro silício depois da purificação.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2211 de 21/05/2013.

11/02/2014

RPI 2249

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente á 7ª anui dade.

21/05/2013

RPI 2211

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

09/02/2010

RPI 2040

Monitoramento de patentes

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