Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2161 de 05/06/2012.
23/10/2012
RPI 2181
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Dado oficial do INPI
MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA
Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · JP2006304201
Dados do pedido
Número
PI0608572Tipo
Patente de Invenção
Depósito
28/02/2006
Publicação
12/01/2010
PCT
JP2006304201 Andamento no INPI
- Depósito28/02/06
- Publicação12/01/10
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 23/10/2012. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
NIPPON STEEL MATERIALS CO., LTD.
JP
Inventores
J. K. (pessoa física)
JP
K. O. (pessoa física)
JP
M. O. (pessoa física)
JP
N. I. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2005-062560 · 07/03/2005
JP
2006-034362 · 10/02/2006
Resumo técnico
MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA. A presente invenção refere-se a um método para a produção de uma grande quantidade de silício de alta pureza e baixo custo útil em uma bateria solar. O método inclui as etapas de preparar o silício fundido, preparar uma escória, colocar o silício fundido e a escória em contato um com o outro e expor pelo menos a escória à pressão de vácuo.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento por falta de pagamento
#8.6
Referente às 4ª, 5ª e 6ª anuidades.
05/06/2012
RPI 2161
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
12/01/2010
RPI 2036
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