Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
21/09/2010
RPI 2072
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Dados do pedido
Número
PI0510960Tipo
Patente de Invenção
Depósito
21/04/2005
Publicação
20/11/2007
PCT
US2005013725 Andamento no INPI
- Depósito21/04/05
- Publicação20/11/07
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 21/04/2005, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 21/09/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Cree, Inc
US
Inventores
M. M. (pessoa física)
US
P. P. (pessoa física)
US
U. M. (pessoa física)
US
Y. W. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/958,945 · 04/10/2004
US
60/571,342 · 13/05/2004
Resumo técnico
TRANSISTOR É descrito um transistor de efeito de campo que compreende um amortecimento e camada de canal formados sucessivamente em um substrato. Um eletrodo da fonte, eletrodo de dreno e porta são todos formados em contato elétrico com a camada de canal, com a porta entre os eletrodos de fonte e de dreno. Uma camada espaçadora é formada em pelo menos uma parte de uma superfície da camada de canal entre a porta e o eletrodo de dreno, e a placa de campo é formada na camada espaçadora isolada da porta e da camada de canal. A camada espaçadora é conectada eletricamente por pelo menos um trajeto condutivo no eletrodo de fonte, em que a placa de campo reduz o campo elétrico operacional de pico no MESFET.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
30/03/2010
RPI 2047
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
20/11/2007
RPI 1924
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