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Dado oficial do INPI

PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES

ConcedidaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI0305817

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

28/11/2003

Publicação

12/07/2005

Andamento no INPI

  1. Depósito28/11/03
  2. Publicação12/07/05
  3. Exame
  4. Deferimento13/12/16
  5. Concessão28/03/17
  6. Em vigor28/11/23

Patente concedida em 28/03/2017 e em vigor até 28/11/2023. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:28/11/2023

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Última movimentação publicada pelo INPI: 28/03/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

U. A. (pessoa física)

RS, BR

UNIÃO BRASILEIRA DE EDUCAÇÃO E ASSISTÊNCIA - MANTENEDORA DA PUC RS

RS, BR

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Inventores

A. M. (pessoa física)

BR

I. Z. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES". Constituído por uma etapa de crescimento de óxido de silício sobre as superfícies, para proteção de determinadas regiões da lâmina dos ataques anisotrópicos e das difusões de dopantes, seguido por um processo de fotolitografia, ataque do óxido através de uma solução de ácido fluorídrico, processo de texturização para formação de micropirâmides na superfície mediante um ataque anisotrópico, difusão de fósforo para formar a região tipo n, deposição de alumínio (dopante tipo ) na face posterior por evaporação em vácuo, redistribuição de ambos dopantes a 1000 C. Metalização frontal para delineação da malha metálica para coleta da corrente elétrica, evaporação em vácuo de Ti, Pd e Ag, extração de metal excedente pela técnica de lift-off e crescimento eletrolítico de prata para obter dedos metálicos de espessuras de aproximadamente 10 m. Imersão das lâminas em acetona e banho com agitação por ultra-som. Concluindo o processo depositam-se Al e Ag na face posterior, novamente por evaporação a vácuo e se realiza um recozimento final em 'forming gas' (95% de N2 e 5% de H2) para melhorar o contato metal-semicondutor e recuperar possíveis danos superficiais. Para evitar a contaminação das lâminas, uma limpeza RCA completa é realizada antes de cada passo térmico.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

28/03/2017

RPI 2412

Deferimento

#9.1

13/12/2016

RPI 2397

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

16/08/2016

RPI 2380

8.7

01/03/2016

RPI 2356

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 11ª anuidade.

24/11/2015

RPI 2342

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

01/09/2015

RPI 2330

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

24/03/2015

RPI 2307

Alteração de nome deferida

#25.4

Nome Alterado de: União Brasileira de Educação e Assistência

18/10/2011

RPI 2128

Retificação de publicação

#3.8

Referente à RPI 1801 de 12/07/2005, quanto ao item (72).

11/08/2009

RPI 2014

Publicação do pedido de patente

#3.1

12/07/2005

RPI 1801

Pedido de patente depositado

#2.1

18/05/2004

RPI 1741

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