TRANSISTOR QUBIT DE SPIN DE BURACO DE ELÉTRON E MÉTODOS PARA FORMAR UM TRANSISTOR QUBIT DE SPIN DE BURACO DE ELÉTRON

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

TRANSISTOR QUBIT DE SPIN DE BURACO DE ELÉTRON E MÉTODOS PARA FORMAR UM TRANSISTOR QUBIT DE SPIN DE BURACO DE ELÉTRON. O presente conceito inventivo está relacionado a um transistor qubit de spin (100) compreendendo uma camada de base (102), um primeiro qubit compreendendo uma primeira ilha semicondutora de computação (106) e uma primeira ilha semicondutora de leitura (108) dispostas com uma distância na faixa de 3 a 10 nm entre elas, um segundo qubit compreendendo uma segunda ilha semicondutora de computação (110) e uma segunda ilha semicondutora de leitura (112) dispostas com uma distância na faixa de 3 a 10 nm entre elas, em que cada uma das referidas ilhas semicondutoras tem um tamanho fazendo com que cada uma das referidas ilhas semicondutoras exiba confinamento quântico tridimensional de um único buraco de elétron, e em que cada uma das referidas ilhas semicondutoras forma uma heterojunção com a camada de base. Cada uma das referidas ilhas semicondutoras têm uma porta (G1-G4) correspondente, para modulação das ilhas de computação ou leitura das ilhas de leitura. A referida primeira ilha semicondutora de computação e a referida segunda ilha semicondutora de computação são configuradas para ter uma frequência de ressonância exclusiva, respectivamente. Uma disposição (B) de eletrodos entre as ilhas de computação e leitura controla o acoplamento entre os qubits. O presente conceito inventivo compreende adicionalmente um método para formar um transistor de qubit de spin e um computador quântico compreendendo pelo menos um transistor de qubit de spin.