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Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO PARA REALIZAR ELETRÓLISE DE ÁGUA E SISTEMA

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · EP2022065521

Dados do pedido

Patente de Invenção DISPOSITIVO PARA REALIZAR ELETRÓLISE DE ÁGUA E SISTEMA de EPINOVATECH AB — IPC B01D 53/047
Patente de Invenção DISPOSITIVO PARA REALIZAR ELETRÓLISE DE ÁGUA E SISTEMA de EPINOVATECH AB — IPC B01D 53/047. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

112023025720

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

08/06/2022

Publicação

27/02/2024

PCT

EP2022065521

Andamento no INPI

  1. Depósito08/06/22
  2. Publicação
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 08/06/2022. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 27/02/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

EPINOVATECH AB

SE

Inventores

M. O. (pessoa física)

SE

Dados técnicos

Prioridades unionistas

EP

21178453.3 · 09/06/2021

Resumo técnico

DISPOSITIVO PARA REALIZAR ELETRÓLISE DE ÁGUA E SISTEMA. Um dispositivo (1) para realizar a eletrólise de água é revelado. O dispositivo compreende: uma estrutura semicondutora (10) que compreende uma superfície (11) e uma camada-guia de elétrons (12) abaixo da dita superfície (11), em que a camada-guia de elétrons (12) da estrutura semicondutora (10) é configurada para guiar o movimento de elétrons em um plano paralelo à superfície (11), em que a camada-guia de elétrons (12) da estrutura semicondutora (10) compreende um poço quântico de InGaN (14) ou uma heterojunção (18), em que a heterojunção (18) é uma junção entre o material de AlN e o material de GaN ou entre o material de AlGaN e o material de GaN; pelo menos um cátodo de metal (20) disposto na superfície (11) da estrutura semicondutora (10); e pelo menos um fotoanodo (30) disposto na superfície (11) da estrutura semicondutora (10), em que o pelo menos um fotoanodo (30) compreende uma pluralidade de pontos quânticos (32) de material de InxGa(1-x)N, em que 0,4 menor ou igual a x menor ou igual a 1. Um sistema que compreende tal dispositivo também é revelado.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

27/02/2024

RPI 2773

Alteração de dados cadastrais

#1.1

19/12/2023

RPI 2763

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