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Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · US2022073916

Dados do pedido

Patente de Invenção DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR — IPC H10W 40/22
Patente de Invenção DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR — IPC H10W 40/22. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

112024002272

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/07/2022

Publicação

18/06/2024

PCT

US2022073916

Andamento no INPI

  1. Depósito20/07/22
  2. Publicação
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 20/07/2022. Aguarda exame formal e publicação na RPI.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 26/05/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Q. I. (pessoa física)

US

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Inventores

A. S. (pessoa física)

US

L. M. (pessoa física)

US

W. Z. (pessoa física)

US

W. P. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

17/404,590 · 17/08/2021

Resumo técnico

BUMP TÉRMICO DE DISPOSITIVO SEMICONDUTOR.É revelado um dispositivo semicondutor, tal como um amplificador de potência. Ao contrário dos amplificadores de potência convencionais, o bump térmico é modelado para cobrir somente dispositivos ativos. Desta forma, as dimensões do dispositivo semicondutor podem ser reduzidas.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Republicação - classificação IPC

#15.11

As Classificações Anteriores eram: H01L 23/367 , H01L 29/737

26/05/2026

RPI 2890

Adição na publicação

#15.35

Alteração de dados cadastrais no Inid (54).

05/08/2025

RPI 2848

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

18/06/2024

RPI 2789

Alteração de dados cadastrais

#1.1

15/02/2024

RPI 2771

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