(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

DIODO EMISSOR DE LUZ VERTICAL

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · KR2019017222

Dados do pedido

Número

112021024052

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

06/12/2019

Publicação

11/01/2022

PCT

KR2019017222

Andamento no INPI

  1. Depósito06/12/19
  2. Publicação11/01/22
  3. Exame
  4. Deferimento27/01/26
  5. Concessão10/02/26
  6. Em vigor06/12/39

Patente concedida em 10/02/2026 e em vigor até 06/12/2039. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:06/12/2039

AlertaMarcas

Deixe seu contato e avisamos você

Acompanhamos as publicações do INPI e avisamos assim que houver movimentação neste processo.

Usamos seus dados apenas para este aviso.

Última movimentação publicada pelo INPI: 10/02/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

SEOUL VIOSYS CO., LTD.

KR

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

J. L. (pessoa física)

KR

Dados técnicos

Prioridades unionistas

KR

10-2019-0064076 · 30/05/2019

Resumo técnico

DIODO EMISSOR DE LUZ VERTICAL. A presente invenção trata de diodo emissor de luz compreendendo uma primeira camada semicondutor condutivo, uma camada isolante superior posicionada na primeira camada semicondutor condutivo. Uma mesa, compreendendo uma camada ativa e uma segunda camada de semicondutor condutivo, é posicionada sob uma região da primeira camada semicondutora de modo a expor a borda da camada de semicondutor condutivo e compreende primeiro e segundo orifícios de passagem através dos quais a primeira camada semicondutora é exposta. Um primeiro eletrodo compreendendo primeiras porções de contato eletricamente conectadas à primeira camada semicondutora através dos primeiros orifícios de passagem e as segundas porções de contato eletricamente conectadas à primeira camada semicondutora através dos segundos orifícios de passagem, um segundo eletrodo eletricamente conectado à segunda camada semicondutora, e pelo menos um pad de eletrodo superior conectado ao segundo eletrodo.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 06/12/2019, observadas as condições legais

10/02/2026

RPI 2875

Deferimento

#9.1

27/01/2026

RPI 2873

Parecer de pré-exame

#6.23

02/09/2025

RPI 2852

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

11/01/2022

RPI 2662

Alteração de dados cadastrais

#1.1

07/12/2021

RPI 2657

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.