Patente de Invenção MEMÓRIAS RESISTIVAS BASEADAS EM GRAFENO DOPADO COM METAIS DE TRANSIÇÃO de FUNDAÇÃO UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC- UFABC — IPC G11C 13/00. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 02/04/2024 e em vigor até 31/05/2037. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:31/05/2037
Última movimentação publicada pelo INPI: 02/04/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Nova estrutura de dispositivo de memória resistiva para aplicação na indústria de dispositivos semicondutores, microeletrônica, computação neuromórfica e eletrônica em geral, a qual é baseada em grafeno dopado com metais de transição; trata-se de um dispositivo que toma como base o óxido de grafeno (GO) com a estrutura ITO/CuO/GO/ CuO/Al, sendo o presente dispositivo fabricado pela técnica de dip coating, contendo camadas da memória com estrutura específica do tipo: ITO/CuO/GO + 1% Ag/ CuO/Al; Al/CuO /GO + 1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 1% Ag /Al; ITO/CuO /GO + 0,1% Ag/CuO/Al; ITO/GO + 0,1% Ag /Al; ITO/CuO/GO + 1% Cu/ CuO/Al; ITO/CuO/GO + 1% Fe/ CuO/Al; e ITO/GO + 1% Cu/Al.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 31/05/2017, observadas as condições legais
02/04/2024
RPI 2778
Deferimento
#9.1
06/02/2024
RPI 2770
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
07/11/2023
RPI 2757
Publicação do pedido de patente
#3.1
18/12/2018
RPI 2502
Pedido de patente depositado
#2.1
29/08/2017
RPI 2434
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870170036782' em 31/05/2017 17:28 (WB)
